纯度是靶材的首要机能目标之，由于靶材的纯度对薄膜的机能影响很大。
靶材的首要机能请求:
纯度
纯度是靶材的首要机能目标之，由于靶材的纯度对薄膜的机能影响很大。不过在现实利用中，对靶材的纯度请求也不尽不异。比方，跟着微电子行业的敏捷成长，硅片尺寸由6”, 8“成长到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um乃至0.13um，之前99.995%的靶材纯度能够知足0.35umIC的工艺请求，而制备0.18um线条对靶材纯度则请求99.999%乃至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和蔼孔中的氧气和水气是堆积薄膜的首要净化源。差别用处的靶材对差别杂质含量的请求也差别。比方，半导体产业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和喷射性元素含量都有殊请求。
密度
为了削减靶材固体中的气孔，进步溅射薄膜的机能，凡是请求靶材具备较高的密度。靶材的密度不只影响溅射速度，还影响着薄膜的电学和光学机能。靶材密度越高，薄膜的机能越好。另外，进步靶材的密度和强度使靶材能更好地蒙受溅射进程中的热应力。密度也是靶材的关头机能目标之。
晶粒尺寸及晶粒尺寸散布
凡是靶材为(wei)多晶布(bu)局(ju)，晶粒巨细可由(you)微米(mi)到毫米(mi)量。对(dui)同(tong)种靶材，晶粒藐小(xiao)的(de)(de)靶的(de)(de)溅(jian)射速(su)(su)度(du)比(bi)晶粒粗大的(de)(de)靶的(de)(de)溅(jian)射速(su)(su)度(du)快(kuai)；而晶粒尺(chi)寸相差(cha)较小(xiao)(散(san)布(bu)平(ping)均)的(de)(de)靶溅(jian)射堆积的(de)(de)薄膜的(de)(de)厚(hou)度(﷽du)散(san)布(bu)更平(ping)均。

纯度是靶材的首要机能目标之，由于靶材的纯度对薄膜的机能影响很大。
靶材的首要机能请求:
纯度
纯度是靶材的首要机能目标之，由于靶材的纯度对薄膜的机能影响很大。不过在现实利用中，对靶材的纯度请求也不尽不异。比方，跟着微电子行业的敏捷成长，硅片尺寸由6”, 8“成长到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um乃至0.13um，之前99.995%的靶材纯度能够知足0.35umIC的工艺请求，而制备0.18um线条对靶材纯度则请求99.999%乃至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和蔼孔中的氧气和水气是堆积薄膜的首要净化源。差别用处的靶材对差别杂质含量的请求也差别。比方，半导体产业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和喷射性元素含量都有殊请求。
密度
为了削减靶材固体中的气孔，进步溅射薄膜的机能，凡是请求靶材具备较高的密度。靶材的密度不只影响溅射速度，还影响着薄膜的电学和光学机能。靶材密度越高，薄膜的机能越好。另外，进步靶材的密度和强度使靶材能更好地蒙受溅射进程中的热应力。密度也是靶材的关头机能目标之。
晶粒尺寸及晶粒尺寸散布
凡是靶材为多晶布局，晶粒巨细可由(you)微米(mi)到毫米(mi)量。对同种靶材，晶粒藐小(xiao)的靶的溅(jian)射(she)(she)速度(du)比晶粒粗大的靶的溅(jian)射(she)(she)速度(du)快；而晶粒尺寸(cun)相差(cha)较小(xiao)(散布平(p💮ing)均(🐻jun))的靶溅(jian)射(she)(she)堆(dui)积的薄膜(mo)的厚度(du)散布更平(ping)均(jun)。