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钛靶材

溶解度是靶材的基本效能完成指標之,因靶材的溶解度对pe膜和珍珠棉的效能反应较大。靶材的基本效能耍求:溶解度溶解度是靶材的基本效能完成指標之,因靶材的溶解度对pe膜和珍珠棉的效能反应较大。但是在现实的应用领域中,对靶材的溶解度耍求就不尽雷同。譬如,伴随电子光学为了满足电子时代提升的需求,制造行业的在短时间内提升,硅片寸尺由6”, 8“提升到12”,而配线参数由0.5um减短到0.25um,0.18um
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纯度是靶材的主要性能指标之,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。
靶材的主要性能要求:
纯度
纯度是靶材的主要性能指标之,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如,半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有殊要求。
密度
为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率,还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶(ba)(ba)材为多(duo)晶(jing)结构(gou),晶(jing)粒(li)大小可由微米到毫米量(liang)。对于同种(zhong)靶(ba)(ba)材,晶(jing)粒(li)细小的(de)靶(ba)(ba)的(de)溅(jian)(jian)射(she)速(su)率比晶(jing)粒(li)粗大的(de)靶(ba)(ba)的(de)溅(jian)(jiaꦺn)射(she)速(su)率快;而晶(jin🏅g)粒(li)尺寸相差较小(分(fen)布均(jun)匀)的(de)靶(ba)(ba)溅(jian)(jian)射(she)沉(chen)积(ji)的(de)薄膜的(de)厚(hou)度(du)分(fen)布更均(jun)匀。

纯度是靶材的主要性能指标之,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。
靶材的主要性能要求:
纯度
纯度是靶材的主要性能指标之,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如,半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有殊要求。
密度
为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率,还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常(chang)靶材(cai)为(wei)多晶(j❀ing)结构(gou),晶(jing)粒(li)大小(xiao)可由微米到ꦐ毫米量。对于同种(zhong)靶材(cai),晶(jing)粒(li)细小(xiao)的(de)(de)(de)靶的(de)(de)(de)溅(jian)射(she)速率比晶(jing)粒(li)粗大的(de)(de)(de)靶的(de)(de)(de)溅(jian)射(she)速率快;而(er)晶(jing)粒(li)尺寸相差较小(xiao)(分布均(jun)匀)的(de)(de)(de)靶溅(jian)射(she)沉(chen)积的(de)(de)(de)薄膜的(de)(de)(de)厚度分布更均(jun)匀。